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厂商型号

IRFBE20

功能描述

Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A)

文件大小

171.1 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

IRF

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更新时间

2026-2-3 20:36:00

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IRFBE20规格书详情

描述 Description

Third Generation HEXFETs International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

● Dynamic dV/dt Rating

● Repetitive Avalanche Rated

● Fast Switching

● Ease of Paralleling

● Simple Drive Requirements

产品属性

  • 型号:

    IRFBE20

  • 功能描述:

    MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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