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IRFBE30中文资料IRF数据手册PDF规格书

IRFBE30
厂商型号

IRFBE30

功能描述

Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A)

文件大小

167.56 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 22:59:00

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IRFBE30规格书详情

Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

O Dynamic dv/dt Rating

O Repetitive Avalanche Rated

O Fast Switching

O Ease of Paralleling

O Simple Drive Requirements

产品属性

  • 型号:

    IRFBE30

  • 功能描述:

    MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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