IRFBE30L中文资料威世科技数据手册PDF规格书
IRFBE30L规格书详情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
FEATURES
• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements
• Lead (Pb)-free Available
产品属性
- 型号：
IRFBE30L
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
06+ |
原厂原装 |
1001 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
23+24 |
TO-262 |
29840 |
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管 |
询价 | ||
VISHAY |
20+ |
na |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
SOT-262 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
76000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IR |
25+23+ |
TO-262 |
27799 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
IR |
1923+ |
TO-262 |
6896 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
SOT-262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
TO262 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 |
