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IRFBE30LPBF规格书详情
描述 Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
O Dynamic dv/dt Rating
O Repetitive Avalanche Rated
O Fast Switching
O Ease of Paralleling
O Simple Drive Requirements
O Lead-Free
产品属性
- 型号：
IRFBE30LPBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
2016+ |
TO220 |
6523 |
房间原装进口现货假一赔十 |
询价 | ||
12+ |
2500 |
原装现货/特价 |
询价 | ||||
IR |
24+ |
PTO-247 |
66800 |
原厂授权一级代理,专注汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
12000 |
VISHAY专营进口原装现货假一赔十 |
询价 | ||
IR |
1923+ |
TO-262 |
6896 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
询价 | ||
VishayIR |
24+ |
TO-262 |
1373 |
询价 | |||
Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
VISHAY |
20+ |
na |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
NA |
2511 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 |
