IRFBE30S中文资料威世科技数据手册PDF规格书
IRFBE30S规格书详情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
FEATURES
• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements
• Lead (Pb)-free Available
产品属性
- 型号：
IRFBE30S
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
D2-PAK |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR |
22+ |
D2-PAK |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IR |
22+ |
TO-263 |
89005 |
询价 | |||
Vishay(威世) |
24+ |
N/A |
11800 |
可配单提供样品 |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
vishay |
24+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
询价 | |||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
询价 | |||
Vishay(威世) |
24+ |
D2PAK(TO263AB) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-263 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
TO-263 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 |
