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IRFB4110	文件：843.85 Kbytes Page：9 Pages	丝印：FB4110；Package：TO-220；100 V N-Channel MOSFET Benefits * Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness * Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA * Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability * Lead Free * RoHS Compliant, Halogen-Free * VDS (V) =100V * ID = 120 A (VGS = 10V) * R DS(ON) 文件：843.85 Kbytes 页数：9 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRFB4110	文件：815.41 Kbytes Page：9 Pages	丝印：FB4110；Package：TO-220；100 V N-Channel MOSFET Applications High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply High Speed Power Switching Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA Enhanced bod 文件：815.41 Kbytes 页数：9 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRFB4110	文件：137.46 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel Mosfet Transistor 文件：137.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFB4110	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFB4110	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-Channel Power MOSFET	MINOS 迈诺斯	MINOS
IRFB4110GPBF	文件：308.74 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability Lead-Free Halogen-Free Applications High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supp 文件：308.74 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB4110PBF	文件：710.29 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Benefits ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA ● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability Applications ● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ● Uninterruptible Power Supply ● High Speed Power Sw 文件：710.29 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB4110QPBF	文件：306.08 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability 175°C Operating Temperature Automotive [Q101] Qualified Applications High Efficiency Synchronous Rectification in S 文件：306.08 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB4110_18	文件：338.6 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.6 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFB4110G	文件：338.71 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.71 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

OPN：
IRFB4110PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
4.5 mΩ
ID @25°C max：
180 A
QG typ @10V：
150 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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