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IRFB4110	文件：843.85 Kbytes Page：9 Pages	Marking：FB4110；Package：TO-220；100 V N-Channel MOSFET Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dt Ruggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanche SOA EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability LeadFree RoHSCompliant,Halogen-Free VDS(V)=100V ID=120A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRFB4110	文件：815.41 Kbytes Page：9 Pages	Marking：FB4110；Package：TO-220；100 V N-Channel MOSFET Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dt Ruggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanche SOA Enhancedbod	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFB4110	文件：137.46 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel Mosfet Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB4110GPBF	文件：308.74 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Lead-Free Halogen-Free Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupp	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4110PBF	文件：710.29 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanche SOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSw	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4110QPBF	文件：306.08 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability 175°COperatingTemperature Automotive[Q101]Qualified Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinS	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4110_18	文件：338.6 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB4110G	文件：338.71 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IRFB4110
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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