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IRFB4110G	文件：338.71 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB4110GPBF	文件：308.74 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Lead-Free Halogen-Free Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupp	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4110PBF	文件：710.29 Kbytes Page：8 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanche SOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSw	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4110PBF	文件：350.1 Kbytes Page：9 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4110QPBF	文件：306.08 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability 175°COperatingTemperature Automotive[Q101]Qualified Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinS	IRF International Rectifier	IRF
IRFI4110G	文件：300.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFI4110GPBF	文件：289.78 Kbytes Page：8 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFI4110GPBF	文件：555.28 Kbytes Page：9 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRFP4110	文件：335.25 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP4110	文件：733.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=100V,ID=180A,RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

详细参数

型号：
IRFB4110G
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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