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IRFB4110G	文件：338.71 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.71 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFB4110GPBF	文件：308.74 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability Lead-Free Halogen-Free Applications High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supp 文件：308.74 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB4110G	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用无铅无卤素 TO-220AB 封装 \n优势:\n• RoHS Compliant;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFB4110PBF	文件：710.29 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Benefits ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA ● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability Applications ● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ● Uninterruptible Power Supply ● High Speed Power Sw 文件：710.29 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB4110PBF	文件：350.1 Kbytes Page：9 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：350.1 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFB4110QPBF	文件：306.08 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability 175°C Operating Temperature Automotive [Q101] Qualified Applications High Efficiency Synchronous Rectification in S 文件：306.08 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
TO-220
VDS max：
100.0V
RDS (on)(@10V) max：
4.5mΩ
RDS (on) max：
4.5mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
130.0A
ID max：
130.0A
ID (@ TC=25°C) max：
180.0A
Ptot max：
370.0W
QG ：
150.0nC
Mounting ：
THT
RthJC max：
0.4K/W
VGS max：
20.0V
Qgd ：
43.0nC
Tj max：
175.0°C

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深圳市华来深电子有限公司	IRFB4110G	IR	23+	TO-220	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
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更多IRFB4110G供应商更新时间2025-11-29 8:01:00

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