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IRFB4110PBF

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

文件:350.1 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRFB4110PBF_15

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

文件:350.1 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRFB4110Q

HEXFET Power MOSFET

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IRFB4110PBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    TO220

  • VDS max:

    100 V

  • RDS (on) @10V max:

    4.5 mΩ

  • ID @25°C max:

    180 A

  • QG typ @10V:

    150 nC

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    2 V

  • VGS(th) max:

    4 V

  • VGS(th):

    3 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

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更多IRFB4110供应商 更新时间2025-10-13 16:56:00