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IRFB3306	文件：338.75 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFB3306	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)\n• Industry standard through-hole power package\n• High-current carrying capability package (upto 195A, die-size ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFB3306PBF	文件：433.13 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Benefits ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA ● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability ● Lead-Free ● RoHS Compliant, Halogen-Free Applications ● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ● Uninterruptibl 文件：433.13 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFB3306PBF	文件：446.45 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Benefits ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA ● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability ● Lead-Free ● RoHS Compliant, Halogen-Free Applications ● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ● Uninterruptibl 文件：446.45 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFB3306GPBF	文件：298.19 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：298.19 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB3306G	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用无铅无卤素 TO-220AB 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n ;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRFB3306PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
4.2 mΩ
ID @25°C max：
160 A
QG typ @10V：
85 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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