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IRFB3306G中文资料60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用无铅无卤素 TO-220AB 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRFB3306G

功能描述

60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用无铅无卤素 TO-220AB 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 17:30:00

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IRFB3306G规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS

应用 Application

• 交流-直流
• 电池驱动

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFB3306G

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :TO-220

  • VDS max

    :60.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :4.2mΩ

  • RDS (on) max

    :4.2mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TC=100°C) max

    :110.0A

  • ID  max

    :110.0A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :160.0A

  • Ptot max

    :230.0W

  • QG 

    :85.0nC 

  • Mounting 

    :THT

  • RthJC max

    :0.65K/W

  • VGS max

    :20.0V

  • Qgd 

    :26.0nC 

  • Tj max

    :175.0°C

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
12+
TO-220
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封装
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