IRFB3206中文资料TO-220AB 封装的 60V 单 N 通道 IR MOSFET ™数据手册Infineon规格书
IRFB3206规格书详情
特性 Features
优势:
• Optimized for broadest availability from distribution partners
• Product qualification according to JEDEC standard
• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)
• Industry standard through-hole power package
• High-current carrying capability package (upto 195A, die-size dependent)
• Capable of being wave soldered
技术参数
- 制造商编号
：IRFB3206
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IRFB3206PBF
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：TO220
- VDS max
：60 V
- RDS (on) @10V max
：3 mΩ
- ID @25°C max
：210 A
- QG typ @10V
：120 nC
- Polarity
：N
- VGS(th) min
：2 V
- VGS(th) max
：4 V
- VGS(th)
：3 V
- Technology
：IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
TO-220 |
6000 |
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IR |
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TO-220 |
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VBsemi |
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TO-220 |
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TO-220 |
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NA |
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TO220 |
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NA |
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IR |
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TO-220 |
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TO-220 |
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