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IRFB3206数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRFB3206

功能描述

60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 23:01:00

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IRFB3206规格书详情

特性 Features


优势:
• Optimized for broadest availability from distribution partners
• Product qualification according to JEDEC standard
• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)
• Industry standard through-hole power package
• High-current carrying capability package (upto 195A, die-size dependent)
• Capable of being wave soldered

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFB3206

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRFB3206PBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :TO220

  • VDS max

    :60 V

  • RDS (on) @10V max

    :3 mΩ

  • ID @25°C max

    :210 A

  • QG typ @10V

    :120 nC

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :2 V

  • VGS(th) max

    :4 V

  • VGS(th)

    :3 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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