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IRFB3206	文件：340.04 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS •UninterruptiblePowerSupply •HardSwitchedandHighFrequencyCircuits •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤3mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB3206PBF	文件：430.8 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching ●HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●En	IRF International Rectifier	IRF
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详细参数

型号：
IRFB3206
功能描述：
MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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