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IRFB18N50K中文资料HEXFET power MOSFET. VDSS = 500V, RDS(on) = 0.26 Ohm, ID = 17A数据手册Infineon规格书
IRFB18N50K规格书详情
描述 Description
Applications1. Switch Mode Power Supply (SMPS)
2. Uninterruptible Power Supply
3. High Speed Power Switching
4. Hard Switched and High Frequency Circuits
技术参数
- 型号:
IRFB18N50K
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 500V 17 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | |||
IR |
24+ |
NA/ |
16383 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
FETROHS |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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VISHAY |
23+ |
NA |
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IR原装正品 |
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VISHAY/威世 |
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IR |
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VISHAY/威世 |
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VishayPCS |
新 |
5 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
询价 |