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IRF9Z24STRLPBF	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer wit 文件：2.30422 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24STRR	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer wit 文件：2.30422 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24STRRPBF	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer wit 文件：2.30422 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24_17	文件：277.52 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：277.52 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24_V01	文件：158.74 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：158.74 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24N	文件：720.61 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology 文件：720.61 Kbytes 页数：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF9Z24NLPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：395.11 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9Z24NLPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：395.11 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9Z24NPBF	文件：511.09 Kbytes Page：9 Pages	Lead-Free 文件：511.09 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF9Z24NPBF_15	文件：511.09 Kbytes Page：9 Pages	Lead-Free 文件：511.09 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

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技术参数

OPN：
IRF9Z24NPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
-55 V
RDS (on) @10V max：
175 mΩ
ID @25°C max：
-12 A
QG typ @10V：
12.7 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-2 V
VGS(th) max：
-4 V
VGS(th)：
-3 V
Technology：
IR MOSFET™

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