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IRF9Z24STRRPBF	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9Z24_17	文件：277.52 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9Z24_V01	文件：158.74 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9Z24N	文件：720.61 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9Z24NLPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NLPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NPBF	文件：511.09 Kbytes Page：9 Pages	Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NPBF_15	文件：511.09 Kbytes Page：9 Pages	Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NS	文件：931.36 Kbytes Page：7 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；P-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF9Z24NS	文件：1.09621 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
IRF9Z24
功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 11 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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