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IRF9910	文件：279.62 Kbytes Page：10 Pages	Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●LowGateCharge ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent ●20VVGSMax.GateRating Applications ●DualSO-8MOSFETforPOLconvertersindesktop,servers,graphicscards,gameconsolesandset-topbox	IRF International Rectifier	IRF
IRF9910PBF	文件：205.48 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰Power MOSFET Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●LowGateCharge ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent ●20VVGSMax.GateRating Applications ●DualSO-8MOSFETforPOLconvertersindesktop,servers,graphicscards,gameconsolesandset-topbox ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRF9910PBF	文件：299.43 Kbytes Page：10 Pages	Fully Characterized Avalanche Voltage and Current	IRF International Rectifier	IRF
IRF9910PBF	文件：299.43 Kbytes Page：10 Pages	Dual SO-8 MOSFET for POL Low Gate Charge	IRF International Rectifier	IRF
IRF9910PBF_08	文件：299.43 Kbytes Page：10 Pages	Dual SO-8 MOSFET for POL Low Gate Charge	IRF International Rectifier	IRF
IRF9910PBF_15	文件：299.43 Kbytes Page：10 Pages	Fully Characterized Avalanche Voltage and Current	IRF International Rectifier	IRF
IRF9910PBF-1	文件：264.91 Kbytes Page：11 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package	IRF International Rectifier	IRF
IRF9910PBF-1_15	文件：264.91 Kbytes Page：11 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF9910
功能描述：
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
HEXFET®
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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更多IRF9910供应商更新时间2025-7-12 23:00:00

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