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IRF9910	文件：279.62 Kbytes Page：10 Pages	Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Low Gate Charge ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 20V VGS Max. Gate Rating Applications ● Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box 文件：279.62 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF9910	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的 20V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低RDS(ON) @ 4.5V VGS\n• 极低的栅极电荷\n• 经过充分验证的雪崩电压和电流\n• 双 N 通道 MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF9910PBF	文件：205.48 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Low Gate Charge ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 20V VGS Max. Gate Rating Applications ● Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box ● Lead-Free 文件：205.48 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF9910PBF	文件：299.43 Kbytes Page：10 Pages	Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：299.43 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF9910PBF	文件：299.43 Kbytes Page：10 Pages	Dual SO-8 MOSFET for POL Low Gate Charge 文件：299.43 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF9910PBF_08	文件：299.43 Kbytes Page：10 Pages	Dual SO-8 MOSFET for POL Low Gate Charge 文件：299.43 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF9910PBF_15	文件：299.43 Kbytes Page：10 Pages	Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：299.43 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF9910PBF-1	文件：264.91 Kbytes Page：11 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：264.91 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9910PBF-1_15	文件：264.91 Kbytes Page：11 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：264.91 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9910PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF9910TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
20 V
RDS (on) @10V max：
9.3 mΩ/13.4 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
11.3 mΩ/18.3 mΩ
ID @25°C max：
10 A/12 A
QG typ @4.5V：
7.4 nC/15 nC
Polarity：
N+N/N+N
VGS(th) min：
1.65 V
VGS(th) max：
2.55 V
VGS(th)：
2.1 V
Technology：
IR MOSFET™

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