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IRF9910中文资料采用 SO-8 封装的 20V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF9910

功能描述

采用 SO-8 封装的 20V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2026-3-9 23:00:00

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IRF9910规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 低RDS(ON) @ 4.5V VGS
• 极低的栅极电荷
• 经过充分验证的雪崩电压和电流
• 双 N 通道 MOSFET

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF9910

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRF9910TRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :SO8

  • VDS max

    :20 V

  • RDS (on) @10V max

    :9.3 mΩ/13.4 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :11.3 mΩ/18.3 mΩ

  • ID @25°C max

    :10 A/12 A

  • QG typ @4.5V

    :7.4 nC/15 nC

  • Polarity

    :N+N/N+N

  • VGS(th) min

    :1.65 V

  • VGS(th) max

    :2.55 V

  • VGS(th)

    :2.1 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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标准封装
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