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IRF9230	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF9230	文件：72.62 Kbytes Page：7 Pages	-5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs Description ThesedevicesareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedfor	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF9230	文件：149.8 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A) ProductSummary TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorrever	IRF International Rectifier	IRF
IRF9230	文件：22.19 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF9230	文件：115.08 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-Rated P-Channel Power MOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFE9230	文件：205.56 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFE9230	文件：16.88 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET VDSS-200V ID(cont)-3.6A RDS(on)0.825Ω FEATURES •SURFACEMOUNT •SMALLFOOTPRINT •HERMETICALLYSEALED •DYNAMICdv/dtRATING •AVALANCHEENERGYRATING •SIMPLEDRIVEREQUIREMENTS •LIGHTWEIGHT	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFE9230	文件：203.34 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) BVDSS-200V RDS(on)0.80Ω ID-4.0A Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignerstheextraflexibilitytheyneedt	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9230	文件：16.69 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9230	文件：115.08 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedP-ChannelPowerMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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详细参数

型号：
IRF9230
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) TO-3
功能描述：
TRANS MOSFET P-CH 200V 6.5A 3PIN TO-204AA - Bulk
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
P CHANNEL MOSFET, TO-3, LAW - Bulk
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
HEXFET, HI-REL - Bulk
功能描述：
P CH MOSFET -200V 6.5A TO-2
功能描述：
MOSFET P TO-3
功能描述：
P CH MOSFET, -200V, 6.5A, TO-204AA
功能描述：
Single P-Channel 200 V 75 W 31 nC Hexfet Transistor Through Hole- TO-204AA
功能描述：
P CH MOSFET, -200V, 6.5A, TO-204AA; Transistor
Polarity：
P Channel; Continuous Drain Current
Id：
-6.5A; Drain Source Voltage
Vds：
-200V; On Resistance
Rds(on)：
800mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
-10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
-4V ;RoHS
Compliant：
No
制造商：
TT Electronics/Semelab
功能描述：
MOSFET P-Channel 200V 6.5A TO-3

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