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IRF9240	文件：25.63 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES •P–CHANNELPOWERMOSFET •HIGHVOLTAGE •INTEGRALPROTECTIONDIODE •AVAILABLEINTO-3(TO-204AA)ANDCERAMICSURFACEMOUNTPACKAGES	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF9240	文件：147.44 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-200V, Rds(on)=0.5ohm, Id=-11A) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFETTRANSISTORS THRU-HOLE(TO-204AA/AE) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-st	IRF International Rectifier	IRF
IRF9240	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF9240	文件：63.04 Kbytes Page：7 Pages	-11A, -200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET -9Aand-11A,-150Vand-200VrDS(on)=0.5Ωand0.7Ω Features: ■Singlepulseavalancheenergyrated ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF9240	文件：158.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •ImprovedInductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysllicongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF9240	文件：158.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •ImprovedInductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysllicongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF9240	文件：150.88 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRF9240	文件：29.24 Kbytes Page：2 Pages	P?밅HANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF9240-SMD	文件：25.63 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES •P–CHANNELPOWERMOSFET •HIGHVOLTAGE •INTEGRALPROTECTIONDIODE •AVAILABLEINTO-3(TO-204AA)ANDCERAMICSURFACEMOUNTPACKAGES	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF9240_03	文件：29.24 Kbytes Page：2 Pages	P?밅HANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

详细参数

型号：
IRF9240
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-3
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
功能描述：
P CH MOSFET, -200V, 11A, TO-204AA; Transistor
Polarity：
P Channel; Continuous Drain Current
Id：
-11A; Drain Source Voltage
Vds：
-200V; On Resistance
Rds(on)：
500mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
-10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
-4V ;RoHS
Compliant：
No

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