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IRF9362PBF_1

HEXFETPower MOSFET Industry-Standard SO-8 Package

文件:292.32 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRF9362PBF_15

Industry-Standard SO-8 Package

文件:292.32 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRF9362PBF-1

-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

\n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Optimized for 4.5V gate-drive voltage(called Logic level), capable of being driven at 2.5V gate-drive voltage (called Super Logic level)\n• Reduced design complexity in high-side configuration (vs N-channel device)\n• Easier ;

Infineon

英飞凌

IRF9530N

IR
TO-220

IR

国际整流器

上传:深圳市勤思达科技有限公司

IRF9530NPBF

INFINEON/英飞凌
TO-220

INFINEON/英飞凌

技术参数

  • VDS max:

    -30.0V

  • RDS (on)(@10V) max:

    21.0mΩ

  • RDS (on) max:

    21.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max:

    32.0mΩ

  • Polarity :

    P+P

  • ID (@ TA=25°C) max:

    -8.0A

  • ID (@ TA=70°C) max:

    -6.4A

  • QG :

    13.0nC 

  • Moisture Sensitivity Level :

    1

  • RthJA max:

    62.5K/W

  • Qgd(typ) :

    6.3nC 

  • Tj max:

    150.0°C

  • VGS max:

    20.0V

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINE0N
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更多IRF9362PBF_1供应商 更新时间2025-10-8 13:01:00