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IRF8707G

无卤素和无铅 30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS;

Infineon

英飞凌

IRF8707PBF-1

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

\n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)\n• Industry standard surface-mount package\n• Capable of being wave-soldered;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IRF8707TRPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    SO8

  • VDS max:

    30 V

  • RDS (on) @10V max:

    11.9 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max:

    17.5 mΩ

  • ID @25°C max:

    11 A

  • QG typ @4.5V:

    6.2 nC

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    1.35 V

  • VGS(th) max:

    2.35 V

  • VGS(th):

    1.8 V

  • Technology:

    StrongIRFET™

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更多IRF8707供应商 更新时间2025-10-7 13:44:00