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IRF8707PBF-1

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

\n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)\n• Industry standard surface-mount package\n• Capable of being wave-soldered;

Infineon

英飞凌

IRF8707TRPBF

Infineon/英飞凌
SOP-8

Infineon/英飞凌

上传:深圳市科恒伟业电子有限公司

Infineon/英飞凌

IRF8707TRPBF

IOR
SOP8

IOR

IRF8788TRPBF

Infineon
QFN

Infineon

英飞凌

上传:深圳市维尔达电子有限公司

IRF9130

IR
TO-3

IR

国际整流器

上传:瑞航达科技(深圳)有限公司

技术参数

  • VDS max:

    30.0V

  • RDS (on)(@10V) max:

    11.9mΩ

  • RDS (on) max:

    11.9mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max:

    17.5mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID (@ TA=70°C) max:

    9.1A

  • ID (@ TA=25°C) max:

    11.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max:

    2.5W

  • QG :

    6.2nC 

  • RthJA max:

    50.0K/W

  • Mounting :

    SMD

  • Tj max:

    150.0°C

  • Moisture Sensitivity Level :

    1

  • Qgd :

    2.2nC 

  • VGS max:

    20.0V

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINE0N
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更多IRF8707PBF-1供应商 更新时间2025-10-13 16:19:00