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IRF8313PBF

Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

文件:260.41 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF8313PBF_15

Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

文件:260.41 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF831FI

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:64.09 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRF8313

采用 SO-8 封装的 30V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 低RDS(ON) @ 4.5V VGS\n• 极低的栅极电荷\n• 双 N 通道 MOSFET;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Minimum Operating Temperature:

    -55°C

  • Maximum Power Dissipation:

    75000mW

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Gate Source Voltage:

    ±20V

  • Maximum Drain Source Voltage:

    450V

  • Maximum Continuous Drain Current:

    4.5A

  • Configuration:

    Single

  • Channel Type:

    N

  • Channel Mode:

    Enhancement

  • Category:

    Power MOSFET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRF831供应商 更新时间2025-10-6 15:36:00