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IRF8313	文件：2.08671 Mbytes Page：6 Pages	丝印：IRF8313；Package：SOP-8；30V 2N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Description The is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. The meet the RoHS and Product requirement with full function reliability ap 文件：2.08671 Mbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF8313	文件：2.16288 Mbytes Page：6 Pages	丝印：IRF8313；Package：SOP-8；30V 2N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Description The is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. The meet the RoHS and Product requirement with full function reliability ap 文件：2.16288 Mbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF8313TR	文件：2.08671 Mbytes Page：6 Pages	丝印：IRF8313；Package：SOP-8；30V 2N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Description The is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. The meet the RoHS and Product requirement with full function reliability ap 文件：2.08671 Mbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF8313	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的 30V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 低RDS(ON) @ 4.5V VGS\n• 极低的栅极电荷\n• 双 N 通道 MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF8313PBF	文件：260.41 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description The IRF8313PbF incorporates the latest HEXFET Power MOSFET Silicon Technology into the industry standard SO-8 package. The IRF8313PbF has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck operation including Rds(on) and gate charge to reduce both conduction and switc 文件：260.41 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF8313TRPbF	文件：260.41 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description The IRF8313PbF incorporates the latest HEXFET Power MOSFET Silicon Technology into the industry standard SO-8 package. The IRF8313PbF has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck operation including Rds(on) and gate charge to reduce both conduction and switc 文件：260.41 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF8313PBF	文件：260.41 Kbytes Page：10 Pages	Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：260.41 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF8313PBF_15	文件：260.41 Kbytes Page：10 Pages	Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：260.41 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
SO-8
VDS max：
30.0V
RDS (on)(@10V) max：
15.5mΩ
RDS (on) max：
15.5mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
21.6mΩ
Polarity ：
N+N
ID (@ TA=70°C) max：
8.1A
ID (@ TA=25°C) max：
9.7A
QG ：
6.0nC
RthJA max：
62.5K/W
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.0W
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd(typ) ：
2.2nC
Tj max：
175.0°C
VGS max：
20.0V

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