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IRF7425	文件：94.54 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance Description These P-Channel HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applicati 文件：94.54 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7425	文件：91.82 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description These P-Channel HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applicati 文件：91.82 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7425PBF	文件：152.29 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Features Industry-standard pinout SO-8 Package Compatible with Existing Surface Mount Techniques RoHS Compliant, Halogen-Free MSL1,Consumer qualification Benefits Multi-Vendor Compatibility Easier Manufacturing Environmentally Friendlier Increased Reliabili 文件：152.29 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7425PBF	文件：157.75 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance Features Industry-standard pinout SO-8 Package Compatible with Existing Surface Mount Techniques RoHS Compliant, Halogen-Free MSL1,Consumer qualification Benefits Multi-Vendor Compatibility Easier Manufacturing Environmentally Friendlier Increased Reliabili 文件：157.75 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7425-SMD	文件：124.19 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET® Power MOSFET These P-Channel HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications.. T 文件：124.19 Kbytes 页数：9 Pages	SYC	SYC
IRF7425TR	文件：94.54 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance Description These P-Channel HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applicati 文件：94.54 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7425TRPBF	文件：157.75 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance Features Industry-standard pinout SO-8 Package Compatible with Existing Surface Mount Techniques RoHS Compliant, Halogen-Free MSL1,Consumer qualification Benefits Multi-Vendor Compatibility Easier Manufacturing Environmentally Friendlier Increased Reliabili 文件：157.75 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7420PBF	文件：159.41 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：159.41 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7420PBF_15	文件：159.41 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：159.41 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7420PBF-1	文件：196.18 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：196.18 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF7420TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
-12 V
RDS (on) @4.5V max：
14 mΩ
ID @25°C max：
-11.5 A
QG typ @4.5V：
38 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-0.4 V
VGS(th) max：
-0.9 V
VGS(th)：
-0.65 V
Technology：
IR MOSFET™

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