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NTE7413

INTEGRATEDCIRCUITS-TTL

INTEGRATEDCIRCUITS-TTL(TRANSISTORLOGIC)

NTE

NTE Electronics

PJT7413

20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features RDS(ON),VGS@-4.5V,ID@-2.5A

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PJT7413

20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET??ESDProtected

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PL7413

4chPower/EnergyMeteringAFEController

PROLIFICProlific Technology Inc.

旺玖科技旺玖科技股份有限公司

RF7413

3VWCDMABAND3LINEARPAMODULE

RFMD

RF Micro Devices

S7413

18watt;MiniSpiralCompactFluorescent;2700K;82CRI;Mediumbase;230volts

SATCO

Satco Products, Inc.

SDT7413

10AMPSILICONPLANARNPNPOWERTRANSISTORS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

SI7413DN

P-Channel20-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Available •TrenchFET®PowerMOSFET •NewPowerPAK®Package    -LowThermalResistance,RthJC    -Low1.07mmProfile APPLICATIONS •LoadSwitch

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SN7413

DUAL4-INPUTPOSITIVE-NANDSCHMITTTRIGGERS

TI1Texas Instruments

德州仪器

SN7413N

DUAL4-INPUTPOSITIVE-NANDSCHMITTTRIGGERS

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

详细参数

  • 型号:

    IRF7413ATR

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IRF
24+
SOP3.9mm
3208
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SO-8
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SOP8/3.9
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1503+
SOP-8
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NA
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Infineon Technologies
22+
8SOIC
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更多IRF7413ATR供应商 更新时间2025-5-17 16:30:00