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IRF744	文件：1.00282 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipatio 文件：1.00282 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF744	文件：207.63 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power 文件：207.63 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF744	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET POWER MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
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详细参数

型号：
IRF744
功能描述：
MOSFET N-Chan 450V 8.8 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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