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IRF744	文件：207.63 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRF International Rectifier	IRF
IRF744	文件：1.00282 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipatio	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF744PBF	文件：243.07 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRF International Rectifier	IRF
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IRFI744G	文件：261.17 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=450V,Rds(on)=0.63ohm,Id=4.9A) DESCRIPTION ThirdGenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-ind	IRF International Rectifier	IRF
IRFI744G	文件：1.74605 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI744GPBF	文件：995.98 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-ind	IRF International Rectifier	IRF
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KBK-744	文件：40.05 Kbytes Page：2 Pages	BI-DIRECTIONALCOUPLERS BI-DIRECTIONALCOUPLERS	SYNERGY Synergy Microwave Corporation	SYNERGY
KCK-744	文件：40.05 Kbytes Page：2 Pages	BI-DIRECTIONALCOUPLERS BI-DIRECTIONALCOUPLERS	SYNERGY Synergy Microwave Corporation	SYNERGY

详细参数

型号：
IRF744
功能描述：
MOSFET N-Chan 450V 8.8 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRF744供应商更新时间2025-5-18 10:12:00

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