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IRF733	文件：848.7 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 350 V/400 V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF733	文件：177.13 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF733	文件：65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF7331	文件：215.65 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheseN-ChannelHEXFETpowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplicati	IRF International Rectifier	IRF
IRF7335D1	文件：216.2 Kbytes Page：12 Pages	Dual FETKY CO-PACKAGED DUAL MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODE Description TheFETKY™familyofCo-PackHEXFETMOSFETsandSchottkydiodesoffersthedesigneraninnovative,boardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.AdvancedHEXFETMOSFETscombinedwithlowforwarddropSchottkyresultsinanextremelyefficientd	IRF International Rectifier	IRF
IRF7335D1PBF	文件：242.35 Kbytes Page：12 Pages	Dual FETKY Co-Packaged Dual MOSFET Plus Schottky Diode Description TheFETKY™familyofCo-PackHEXFET®MOSFETsandSchottkydiodesoffersthedesigneraninnovative,boardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.AdvancedHEXFET®MOSFETscombinedwithlowforwarddropSchottkyresultsinanextremelyefficientd	IRF International Rectifier	IRF
IRF7338	文件：200.2 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheseNandPchannelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. Th	IRF International Rectifier	IRF
IRF7331PBF	文件：129.15 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF7331PBF	文件：220.51 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF7331PBF	文件：220.51 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF733
功能描述：
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
HEXFET®
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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