| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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Ultra Low On-Resistance 文件：220.51 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET 文件：220.51 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
Ultra Low On-Resistance 文件：220.51 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：200.58 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：200.58 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFET Power MOSFET 文件：224.51 Kbytes 页数：12 Pages | IRF | IRF | ||
20V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Dual FETKY CO-PACKAGED DUAL MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODE | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- Minimum Operating Temperature：
-55°C
- Maximum Power Dissipation：
2000mW
- Maximum Operating Temperature：
150°C
- Maximum Gate Source Voltage：
±20V
- Maximum Drain Source Voltage：
30V
- Maximum Continuous Drain Current：
4.7A
- Material：
Si
- Configuration：
Single Dual Drain
- Channel Type：
P
- Channel Mode：
Enhancement
- Category：
Power MOSFET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
har |
24+ |
N/A |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 | ||
FSC |
23+ |
TO-220 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
SIL |
23+ |
65480 |
询价 | ||||
IR/FSC |
22+ |
TO-263 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
har |
2023+ |
原厂封装 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
IR |
22+ |
TO-220 |
89194 |
询价 | |||
IR |
23+ |
TO-220 |
188 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
FSC |
24+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
IR(国际整流器) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
IR |
24+/25+ |
3000 |
原装正品现货库存价优 |
询价 |
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更新时间2026-1-27 17:02:00
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