IRF6643中文资料150V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET MZ 封装,额定电流为35 A。数据手册Infineon规格书
IRF6643规格书详情
应用 Application
• 电池驱动
• D 类音频
• 隔离式初级侧 MOSFET
• 隔离式次级侧SyncRec MOSFET
• 负载开关高边
技术参数
- 制造商编号
:IRF6643
- 生产厂家
:Infineon
- OPN
:IRF6643TRPBF
- Qualification
:Non-Automotive
- Package name
:MZ (DIRECTFET)
- VDS max
:150 V
- RDS (on) @10V max
:34.5 mΩ
- ID @25°C max
:35 A
- QG typ @10V
:39 nC
- Polarity
:N
- VGS(th) min
:3 V
- VGS(th) max
:4.9 V
- VGS(th)
:4 V
- Technology
:IR MOSFET™
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
7050 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
DirectFET |
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Infineon/英飞凌 |
21+ |
DIRECTFET |
6820 |
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IR |
1332+ |
DIRECTFET |
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INFINE0N |
21+ |
DirectFET MZ |
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IR |
23+ |
DirectFETMZ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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IR |
23+ |
DIRECTF |
2848 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
IR |
24+ |
DIRECTFET |
65200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
IR |
24+ |
DirectFETtradeIso |
7500 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
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