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IRF6637PBF	文件：270.73 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6637PbF combines the latest HEXFET® power MOSFET silicon technology with advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geom 文件：270.73 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6637TR1	文件：265.66 Kbytes Page：9 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6637 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：265.66 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6637TRPBF	文件：270.73 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6637PbF combines the latest HEXFET® power MOSFET silicon technology with advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geom 文件：270.73 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6637PBF	文件：270.73 Kbytes Page：10 Pages	Low Conduction Losses and Switching Losses 文件：270.73 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6637PBF_15	文件：270.73 Kbytes Page：10 Pages	Low Conduction Losses and Switching Losses 文件：270.73 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6637TR1PBF	文件：270.73 Kbytes Page：10 Pages	Low Conduction Losses and Switching Losses 文件：270.73 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
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详细参数

型号：
IRF6637
功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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