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IRL640	文件：1.02455 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL640A	文件：226.35 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.18Ω ID=18A FEATURES ♦Logic-LevelGateDrive ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=20	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRL640A	文件：280.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRL640PBF	文件：930.01 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)=0.18廓,ID=17A)	IRF International Rectifier	IRF
IRL640PBF	文件：1.02455 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL640S	文件：271.5 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET-RPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL640S	文件：994.86 Kbytes Page：9 Pages	Repetitiveavalancherated	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL640S	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFETs FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL640SPBF	文件：992.71 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL640SPBF	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
IRF640STRL
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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