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IRFL640	文件：1.65092 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissip	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL640PBF	文件：1.65092 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissip	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFS640	文件：916.61 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS640	文件：308.86 Kbytes Page：5 Pages	Improvedinductiveruggedness	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFS640	文件：814.08 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
IRFS640	文件：1.13919 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
IRFS640	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRFS640	文件：270.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS640	文件：318.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS640A	文件：304.43 Kbytes Page：6 Pages	Improvedgatecharge	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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详细参数

型号：
IRF640STRL
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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