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IRF630N	文件：1.58717 Mbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed DESCRIPTION ●DrainCurrent–ID=9.3A@TC=25℃ ●DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ●StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max) ●FastSwitchingSpeed ●LowDriveRequirement APPLICATIONS ●Thisdeviceisn-channel,enhancementmode,powerMOSFETdesignedespecially	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF630N	文件：74.59 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ●DrainCurrent–ID=9.3A@TC=25℃ ●DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ●StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max) ●FastSwitchingSpeed ●LowDriveRequirement APPLICATIONS ●Thisdeviceisn-channel,enhancementmode,powerMOSFETdesignedespecially	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF630N	文件：339.05 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF630NL	文件：155.06 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.30ohm,Id=9.3A) Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NL	文件：209.86 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs200V,9.3A,0.30? Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.200Ω(Typ),VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF630NL	文件：240.54 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NL	文件：173.94 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
IRF630NL	文件：289.01 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-262packaging •Highspeedswitching •Lowgateinputresistance •Standardlevelgatedrive •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •Switchingapplicatio	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF630NLPBF	文件：292.16 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NLPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF630L
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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