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IRF540S	文件：370.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=77mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·AutomaticTestEquipment ·High-SideSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IRF540Z	文件：310.12 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=100V RDS(on)=26.5mΩ ID=36A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingte	IRF International Rectifier	IRF
IRF540Z	文件：308.2 Kbytes Page：13 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF

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更多IRF540NSTRLPBF其他被动元件供应商更新时间2024-4-11 18:15:00

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