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IRF3710ZL	文件：301.06 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：301.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF3710ZL	文件：4.63191 Mbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 文件：4.63191 Mbytes 页数：12 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF3710ZPBF	文件：387.76 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：387.76 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3710ZPBF_15	文件：387.76 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：387.76 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3710ZS	文件：189.74 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：189.74 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF3710ZS	文件：4.63191 Mbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 文件：4.63191 Mbytes 页数：12 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF3710Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-220 封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF3710ZL	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF3710ZS	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF3710ZPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
18 mΩ
ID @25°C max：
59 A
QG typ @10V：
82 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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