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IRF2505	文件：215.26 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES •LowRds(on) •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highvoltage)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF2505	文件：137.76 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF2505	文件：57.99 Kbytes Page：7 Pages	30A, 200V, 0.085 Ohm, N-Channel Power MOSFET ThisN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisdesigned,testedandguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motor	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF250SMD	文件：23.67 Kbytes Page：2 Pages	N.CHANNEL POWER MOSFET FEATURES •HERMETICALLYSEALEDSURFACEMOUNTPACKAGE •SMALLFOOTPRINT–EFFICIENTUSEOFPCBSPACE. •SIMPLEDRIVEREQUIREMENTS •LIGHTWEIGHT •HIGHPACKINGDENSITIES	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF2505	文件：22.05 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF2505	文件：84.86 Kbytes Page：2 Pages	50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
IRF250P224	文件：1.06583 Mbytes Page：17 Pages	IR MOSFET - StrongIRFET?	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF250P224	文件：335.12 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF250P225	文件：1.06551 Mbytes Page：17 Pages	IR MOSFET - StrongIRFET?	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF250P225	文件：334.9 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
IRF250
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 200V 30A 2PIN TO-204AA - Bulk
功能描述：
MOSFET N TO-3
功能描述：
MOSFET, N, TO-3
功能描述：
N CH MOSFET, 200V, 30A, TO-204AE; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
30A; Drain Source Voltage
Vds：
200V; On Resistance
Rds(on)：
85mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V; No. of
Pins：
2 ;RoHS
Compliant：
No
制造商：
TT Electronics/Semelab
功能描述：
MOSFET N-Channel 200V 30A TO-3

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