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|---|---|---|---|---|
IRF250P224 | IR MOSFET - StrongIRFET? 文件:1.06583 Mbytes 页数:17 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | |
IRF250P224 | N-Channel MOSFET Transistor 文件:335.12 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
IRF250P224 | 采用 TO-247AC 封装的 250V 单 N 通道 StrongIRFET ™ \n优势:\nImproved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA Enhanced body diode dv/dt and di/dt Capability Lead-Free, RoHS Compliant; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
N-Channel MOSFET Transistor 文件:335.12 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC |
技术参数
- OPN:
IRF250P224
- Qualification:
Non-Automotive
- Package name:
TO247
- VDS max:
250 V
- RDS (on) @10V max:
12 mΩ
- ID @25°C max:
128 A
- QG typ @10V:
135 nC
- Polarity:
N
- VGS(th) min:
2 V
- VGS(th) max:
4 V
- VGS(th):
3 V
- Technology:
StrongIRFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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INFINEON |
21+ |
TO-247 |
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Infineon(英飞凌) |
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