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IRF224	文件：48.33 Kbytes Page：2 Pages	High Speed Applications 文件：48.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF225	文件：48.3 Kbytes Page：2 Pages	High Speed Applications 文件：48.3 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF22N60	文件：383.33 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：383.33 Kbytes 页数：7 Pages	NELLSEMI 尼尔半导体	NELLSEMI
IRF2204	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF220	文件：300 bytes Page：1 Pages	4.0A and 5.0A, 150V and 200V, 0.8 and 1.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
IRF220	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Maximum Power Dissipation：
40000mW
Maximum Drain Source Voltage：
200V
Maximum Continuous Drain Current：
4A
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Category：
Power MOSFET

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深圳市一线半导体有限公司	IRF222	IR	24+	TO-3	10000		询价
深圳市福田区绿盛电子商行	IRF222	IR	2015+	TO-3(铁帽)	19889	一级代理原装现货,特价热卖!	询价
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更多IRF22供应商更新时间2025-12-17 10:50:00

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