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MMBD1404	文件：96.67 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODES Case:SOT-23MoldedPlastic OperatingTemperature:-65°Cto150°C	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
MMBD1404	文件：39.13 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageGeneralPurposeDiode HighVoltageGeneralPurposeDiode SourcedfromProcess1H.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBD1404A	文件：63.02 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageGeneralPurposeDiode Descriptions Sourcedfromprocess2V.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MS1404	文件：97.1 Kbytes Page：3 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSUHFMOBILEAPPLICATIONS DESCRIPTION: TheMS1404isa12.5VClassCepitaxialsiliconNPNplanartransistordesignedprimarilyforUHFcommunications.ThisdeviceutilizesimprovedmetallizationtoachieveinfiniteVSWRatratedoperatingconditions. Features •470MHz •12.5VOLTS •POUT=5.0WATT •GP=8.5dBMI	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MV1404	文件：11.42 Kbytes Page：1 Pages	TUNINGVARACTOR DESCRIPTION: TheASIMV1404isaSiliconHyper-AbruptJunctionMicrowaveTuningVaractorDiode. FEATURES: •HighCapacitance:90–144pF •HighQ:200Min.	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
MV1404	文件：35.18 Kbytes Page：1 Pages	TUNINGVARATOR	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
MV1404H	文件：14.9 Kbytes Page：1 Pages	TUNINGVARACTOR DESCRIPTION: TheASIMV1404HisaSiliconHyper-AbruptJunctionMicrowaveTuningVaractorDiode,WithHi-RelScreening.	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
NCP1404	文件：49.45 Kbytes Page：8 Pages	350mAPWM/PFMStep-UpDC-DCConverterwithLowBatteryDetector	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE1404	文件：24.61 Kbytes Page：2 Pages	IntegratedCircuitTVSoundIFAmplifier,Detector,AFOutputCircuit Description: TheNTE1404isanintegratedcircuitina16–LeadDIPw/FintypepackagedesignedforuseasaTVsoundsignalprocessingcircuit. Features: •ProvidesTotalTVSoundSignalProcessingCircuitryfromIFAmplifierthroughAFOutput •DCVolumeControlSystem:ControlVolt	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
OPF1404	文件：482.76 Kbytes Page：2 Pages	HIGHSPEEDFIBEROPTICTRANSMITTER Features •LowCost •HighSpeed •NoMountingHardwareRequired •WideTemperatureRange •100LEDBurn-In(96hours) •SMAorST*StylePorts •WaveSolderable	Optek TT Electronics/Optek Technology	Optek
PACDN1404	文件：51.51 Kbytes Page：3 Pages	ESDPROTECTIONARRAYS,CHIPSCALEPACKAGE ProductDescription ThePACDN1404C,PACDN1408CandPACDN1416CaretransientvoltagesuppressorarraysthatprovideaveryhighlevelofprotectionforsensitiveelectroniccomponentsthatmaybesubjectedtoESD. Features •4,8,or16transientvoltagesuppressorsinasinglepackage •In-sys	CALMIRCO California Micro Devices Corp	CALMIRCO
PACDN1404	文件：112.79 Kbytes Page：5 Pages	ESDProtectionArraysinChipScalePackage ProductDescription ThePACDN1404andPACDN1408are4−and8−channeltransientvoltagesuppressorarraysthatprovideaveryhighlevelofprotectionforsensitiveelectroniccomponentsthatmaybesubjectedtoESD. Features •FourorEightTransientVoltageSuppressorsinaSinglePackage •I	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PACDN1404C	文件：51.51 Kbytes Page：3 Pages	ESDPROTECTIONARRAYS,CHIPSCALEPACKAGE ProductDescription ThePACDN1404C,PACDN1408CandPACDN1416CaretransientvoltagesuppressorarraysthatprovideaveryhighlevelofprotectionforsensitiveelectroniccomponentsthatmaybesubjectedtoESD. Features •4,8,or16transientvoltagesuppressorsinasinglepackage •In-sys	CALMIRCO California Micro Devices Corp	CALMIRCO
PACDN1404CG	文件：112.79 Kbytes Page：5 Pages	ESDProtectionArraysinChipScalePackage ProductDescription ThePACDN1404andPACDN1408are4−and8−channeltransientvoltagesuppressorarraysthatprovideaveryhighlevelofprotectionforsensitiveelectroniccomponentsthatmaybesubjectedtoESD. Features •FourorEightTransientVoltageSuppressorsinaSinglePackage •I	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PACDN1404CR	文件：51.51 Kbytes Page：3 Pages	ESDPROTECTIONARRAYS,CHIPSCALEPACKAGE ProductDescription ThePACDN1404C,PACDN1408CandPACDN1416CaretransientvoltagesuppressorarraysthatprovideaveryhighlevelofprotectionforsensitiveelectroniccomponentsthatmaybesubjectedtoESD. Features •4,8,or16transientvoltagesuppressorsinasinglepackage •In-sys	CALMIRCO California Micro Devices Corp	CALMIRCO
PT-1404	文件：91.2 Kbytes Page：1 Pages	Non-WashableType	SOBERTONSoberton Inc. Soberton Inc.	SOBERTON
PT-1404	文件：214.06 Kbytes Page：1 Pages	Non-WashableType	SOBERTONSoberton Inc. Soberton Inc.	SOBERTON
RCX-1404	文件：371.36 Kbytes Page：2 Pages	RCX-1400,2GigELAN,4PCI,4COM,6USB3.1,2SIM,IsolatedDIO	VECOWVecow Co., Ltd. 超恩	VECOW
RCX-1404R	文件：395.06 Kbytes Page：2 Pages	RCX-1400,2GigELAN,4PCI,4SSDTray,4COM,6USB3.1,2SIM,IsolatedDIO	VECOWVecow Co., Ltd. 超恩	VECOW
RF1404C	文件：121.69 Kbytes Page：3 Pages	433.92MHzSAWFilter TheRF1404Cisalow-loss,compact,andeconomicalsurface-acoustic-wave(SAW)filterdesignedtoprovidefront-endselectivityin433.92MHzreceivers.Receiverdesignsusingthisfilterincludesuperhetwith10.7MHzor500kHzIF,directconversionandsuperregen.Typicalapplicationsofthese	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata

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详细参数

型号：
IRF1404STRR
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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