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IRF1104	文件：101.15 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.009ohm, Id=100A?? VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：101.15 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF1104L	文件：208.86 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：208.86 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF1104LPBF	文件：263.14 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design t 文件：263.14 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF1104PBF	文件：190.33 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 0.009廓 , ID = 100A ) VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：190.33 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF1104S	文件：208.86 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：208.86 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF1104SPBF	文件：263.14 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design t 文件：263.14 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF1104	文件：338.55 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.55 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1104PBF	文件：191.29 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：191.29 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF1104PBF_15	文件：191.29 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：191.29 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF1104SPBF_15	文件：272.44 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：272.44 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF110
制造商：
International Rectifier
功能描述：
MOSFET, 40V, 100A, 9 MOHM, 62 NC QG, D2-PAK
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 40V 100A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
功能描述：
MOSFET N-Channel 40V 100A D2PAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海市鑫鸿达电子	IRF1104SPBF	International Rectifier	2022+		1	全新原装货期两周	询价
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深圳瞄钧科技有限公司	IRF1104SPBF	IR	24+	原厂封装	65250	支持样品,原装现货,提供技术支持!	询价
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