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IPW65R050CFD7A	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V CoolMOS ™ N沟道汽车SJ功率MOSFET CFD7A \n优势:\n• 在满足汽车寿命要求方面具有行业最高可靠性\n• 实现更高功率密度设计\n• 可扩展设计用于 PFC 和 DC-DC 级\n• 提供丰富的产品组合;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPW65R050CFD7A	文件：1.55372 Mbytes Page：14 Pages	丝印：65A050F7；Package：PG-TO247-3；MOSFET 650V CoolMOS짧 CFD7A SJ Power Device 文件：1.55372 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPWS65R050CFD7A	文件：1.58548 Mbytes Page：14 Pages	650V CoolMOS짧 CFD7A SJ Power Device 文件：1.58548 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB65R050CFD7A	文件：332.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 50mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter 文件：332.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPB65R050CFD7A	文件：1.44516 Mbytes Page：14 Pages	MOSFET 650V CoolMOS짧 CFD7A SJ Power Device 文件：1.44516 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPBE65R050CFD7A	文件：1.42958 Mbytes Page：14 Pages	MOSFET 650V CoolMOS짧 CFD7A SJ Power Device 文件：1.42958 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IPW65R050CFD7AXKSA1
Qualification：
Automotive
Package name：
PG-TO247-3
VDS max：
650 V
RDS (on) @10V max：
50 mΩ
ID @25°C max：
45 A
QG typ @10V：
102 nC
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-40 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
3.5 V
VGS(th) max：
4.5 V
VGS(th)：
4 V
Technology：
CoolMOS™ CFD7A

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