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IPBE65R050CFD7A

650V CoolMOS™ N 沟道汽车级SJ 功率 MOSFET CFD7A

\n优势:\n• 在满足汽车寿命要求方面具有行业最高可靠性\n• 实现更高功率密度设计\n• 可扩展设计用于 PFC 和 DC-DC 级\n• 提供丰富的产品组合;

Infineon

英飞凌

IPBE65R050CFD7A

丝印:65A050F7;Package:PG-TO263-7-11;MOSFET 650V CoolMOS짧 CFD7A SJ Power Device

文件:1.42958 Mbytes 页数:14 Pages

Infineon

英飞凌

IPP65R050CFD7A

MOSFET 650V CoolMOS짧 CFD7A SJ Power Device

文件:1.77292 Mbytes 页数:14 Pages

Infineon

英飞凌

IPW65R050CFD7A

MOSFET 650V CoolMOS짧 CFD7A SJ Power Device

文件:1.55372 Mbytes 页数:14 Pages

Infineon

英飞凌

IPWS65R050CFD7A

650V CoolMOS짧 CFD7A SJ Power Device

文件:1.58548 Mbytes 页数:14 Pages

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IPBE65R050CFD7AATMA1

  • Qualification:

    Automotive

  • Package name:

    PG-TO263-7

  • VDS max:

    650 V

  • RDS (on) @10V max:

    50 mΩ

  • ID @25°C max:

    45 A

  • QG typ @10V:

    102 nC

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -40 °C

  • Operating Temperature max:

    150 °C

  • VGS(th) min:

    3.5 V

  • VGS(th) max:

    4.5 V

  • VGS(th):

    4 V

  • Technology:

    CoolMOS™ CFD7A

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
24+
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INFINEON/英飞凌
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更多IPBE65R050CFD7A供应商 更新时间2025-10-12 22:59:00