isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 50mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter

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ISC

无锡固电

丝印：65A050F7；Package：PG-TO263-3；MOSFET 650V CoolMOS짧 CFD7A SJ Power Device

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Infineon

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650V CoolMOS ™ N沟道汽车SJ功率MOSFET CFD7A

\n优势:\n• 在满足汽车寿命要求方面具有行业最高可靠性\n• 实现更高功率密度设计\n• 可扩展设计用于 PFC 和 DC-DC 级\n• 提供丰富的产品组合;

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MOSFET 650V CoolMOS짧 CFD7A SJ Power Device

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