丝印：068N20N6；Package：PG-HDSOP-16；MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 200 V

Features • N‑channel, normal level • Very low on‑resistance RDS(on) • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low reverse recovery charge (Qrr) • High avalanche energy rating • 175°C operating temperature • Pb‑free lead plating; RoHS compliant • Halogen‑free according to IEC61

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OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 200 V 正常电平，采用 TOLT 封装

IPTC068N20NM6 利用 OptiMOS ™ 6 200 V 技术的先进电池设计，为传统 OptiMOS ™ 3 和 OptiMOS ™ FD 产品提供合适的替代品。OptiMOS ™ 6 200 V 的设计旨在满足广泛应用的要求：从静态开关到硬开关和软开关应用中的高频。TOLT封装与OptiMOS ™ 6技术相结合可实现最高功率密度。 • 200 V 下业界最低的 RDS(on)\n • 200 V 下业界最低的 Qrr\n • 与之前的 200 V 技术相比\n • RDS(on) 降低高达 42%\n • Qrr（典型值）降低高达 89%\n • FOMg\n 降低 36% • 二极管软化 3 倍以上\n • 改善电容线性度\n • 改进的 SOA\n • Vgs(th) 的精确分布范围为 +/- 750 mV\n • 高雪崩强度\n • 最大 Tj 为 175°C 和 MSL1;

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MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V

Features • N-channel, normal level • Very low on-resistance RDS(on) • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low reverse recovery charge (Qrr) • High avalanche energy rating • 175°C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61

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