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IPB068N20NM6中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

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厂商型号

IPB068N20NM6

功能描述

MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V

丝印标识

068N20N6

封装外壳

PG-TO263-3

文件大小

1.15173 Mbytes

页面数量

11

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 10:47:00

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IPB068N20NM6规格书详情

特性 Features

• N-channel, normal level

• Very low on-resistance RDS(on)

• Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

• Very low reverse recovery charge (Qrr)

• High avalanche energy rating

• 175°C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

• MSL 1 classified according to J-STD-020

• 100 avalanche tested

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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