| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌PG-TO263-7-3 |
39687 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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INFINEOND2PAK(TO-263) |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263-7 |
3999 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市欣宇芯科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-263-7 |
4000 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263-7 |
8498 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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210494 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
146 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市鑫炜纳电子有限公司6年
留言
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INfineonTO263 |
9925 |
21+ |
原装现货,假一罚十 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263-7 |
3620 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)PG-TO263-7 |
20316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9865 |
23+/24+ |
原装正品,专业分销贴片三极管 |
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深圳市钦宇承科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
146 |
14+ |
只做原装/假一赔百 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-263 |
6000 |
17+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)PG-TO263-7 |
16048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市能创芯电子科技有限公司7年
留言
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INFINEONTO-263 |
20000 |
23+ |
进口原装现货 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-263-7L |
17695 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
5000 |
1730+ |
进口原装支持含税 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
8550 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
IPB065N15N3采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IPB065N15N3图片
IPB065N15N3G价格
IPB065N15N3G价格：￥19.6704品牌：Infineon Technologies
生产厂家品牌为Infineon Technologies的IPB065N15N3G多少钱，想知道IPB065N15N3G价格是多少？参考价：￥19.6704。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IPB065N15N3G批发价格及采购报价，IPB065N15N3G销售排行榜及行情走势，IPB065N15N3G报价。
IPB065N15N3G中文资料Alldatasheet PDF
更多IPB065N15N3 G功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB065N15N3 G E8187功能描述:MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPB065N15N3G制造商:Infineon Technologies AG
IPB065N15N3GATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
IPB065N15N3GE8187ATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
