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IPB065N15N3	文件：305.86 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage-:VDSS=150V(Min) ·FastSwitchingSpeed ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPB065N15N3G	文件：643.18 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPB065N15N3GATMA1	文件：643.18 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel, normal level	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IPB065N15N3
功能描述：
MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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