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IPP075N15N3G	文件：424.44 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr 文件：424.44 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP075N15N3G	文件：744.54 Kbytes Page：11 Pages	丝印：075N15N；Package：PG-TO220-3；3 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr 文件：744.54 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP075N15N3GXKSA1	文件：744.53 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS 3 Power-Transistor 文件：744.53 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP075N15N3G	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)	Infineon 英飞凌	Infineon

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