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IPP60R199CP	文件：338.92 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Lowestfigure-of-meritRONxQg •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSCPisspeciallydesignedfor: •Hardswitchingtopologies,forServe	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP60R199CP	文件：297.07 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS짰PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW60R199CP	文件：659.39 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW60R199CP	文件：356.14 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Lowestfigure-of-meritRONxQg •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSCPisspeciallydesignedfor: •Hardswitchingtopologies,forServer	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW60R199CP	文件：335.73 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤199mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPW60R199CP	文件：607.97 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOS짰PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
MMUB60R199PC	文件：1.14047 Mbytes Page：10 Pages	600V0.199(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMUB60R199PCURH	文件：1.14047 Mbytes Page：10 Pages	600V0.199(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

详细参数

型号：
IPI60R199CP
功能描述：
MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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