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MMUB60R199PC	文件：1.14047 Mbytes Page：10 Pages	600V 0.199(ohm) N-channel MOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMUB60R199PCURH	文件：1.14047 Mbytes Page：10 Pages	600V 0.199(ohm) N-channel MOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
IIPA60R199CP	文件：333.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.199Ω •Highpeakcurrentcapability •Enhancementmode •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •HardswitchingSMPStopologies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIPP60R199CP	文件：338.54 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.199Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIPW60R199CP	文件：335.73 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤199mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA60R199CP	文件：566.78 Kbytes Page：10 Pages	CoolMosPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPA60R199CP	文件：264.57 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Lowestfigure-of-meritRONxQg •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSCPisdesignedfor: •HardswitchingSMPStopologies	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPA60R199CP	文件：405.57 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS짰PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPA60R199CP	文件：333.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.199Ω •Highpeakcurrentcapability •Enhancementmode •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •HardswitchingSMPStopologies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPB60R199CP	文件：189.14 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPB60R199CP	文件：366.15 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS짰PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB60R199CP	文件：337.71 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Lowestfigure-of-meritRONxQg •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSCPisspeciallydesignedfor: •Hardswitchingtopologies,forServe	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB60R199CP	文件：322.14 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Lowestfigure-of-meritRONxQg •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSCPisspeciallydesignedfor: •Hardswitchingtopologies,forServe	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB60R199CPA	文件：450.92 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Lowestfigure-of-meritRonxQg •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •AutomotiveAECQ101qualified •Greenpackage(RoHScompliant) CoolMOSCPAisspeciallydesignedfor: •DC/DCconvertersforAutomotiveApplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI60R199CP	文件：330.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.199Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPI60R199CP	文件：306.41 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI60R199CP	文件：394.05 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS짰PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI60R199CP	文件：323.69 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Lowestfigure-of-meritRONxQg •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSCPisspeciallydesignedfor: •Hardswitchingtopologies,forServe	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPL60R199CP	文件：574.12 Kbytes Page：13 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPL60R199CP	文件：1.6031 Mbytes Page：13 Pages	600VCoolMOSCPPowerTransistor Description TheCoolMOS™CPseriesoffersdeviceswhichprovideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenotsacrificingeaseofuse.Extremelylowswitchingandconductionlossesmakeswitchingapplicationsevenmoreefficient,morecompact,lighter,andcooler. Features •Reducedboar	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MMUL2-1A01	ALCATEL		PLCC84	10000	自己现货	询价
深圳市博浩通科技有限公司	MMUL2-1A01	ALCATEL	23+	PLCC84	2300	绝对现货库存	询价
上海市鑫鸿达电子	MMUM2211LT1G	ON/安森美	2022+		1200	全新原装货期两周	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	MMUM2241LT1		23+		13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	MMUN2110RLT1	LRC/乐山	24+	23	100000	原装正品现货	询价
深圳市弘为电子有限公司	MMUN2110RLTI	3K	16+	SOT-23	3000	原装现货假一罚十	询价
深圳市鹏和科技有限公司	MMUN2111	原装N/A	24+	SOT-23	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	MMUN2111	LRC	23+	NA	25060	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市振宏微科技有限公司	MMUN2111	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳市维尔达电子有限公司	MMUN2111	原装N/A	2023+	SOT-23	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价

更多MMUB60R199PC供应商更新时间2024-9-24 10:20:00

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